Вопросы по лекции

Резонансное туннелирование в наноструктурах 134kb

составил к.ф-м.н. Попов В.Г.


  1. Что такое граничная частота твердотельного диода? Каковы причины отрицательной дифференциальной проводимости в туннельных диодах? Как связана граничная частота с отрицательной проводимостью?
  2. Резонансно-туннельный диод и его принцип работы. Объяснить вольтамперную характеристику диода. Почему вольтамперные характеристики диодов с двумерной электронной системой в эмиттере отличаются от характеристик диодов с трехмерным эмиттером?
  3. Что такое магнитотуннельная спектроскопия? Почему в планарном магнитном поле наблюдается уширение резонансного пика на вольтамперной характеристике резонансно-туннельного диода?
  4. Что такое полярон? Как можно объяснить дополнительные пики в токе при напряжениях больших резонансного напряжения на вольтамперной характеристике резонансно-туннельного диода?
  5. Как изменяется вольтамперная характеристика диода при уменьшении его латеральных размеров ниже 100 нм? Почему? Что такое кулоновская блокада и туннельный экситон?

Литература:

  1. В.П. Драгунов, И.Г. Неизвестный, В.А. Гридичин «Основы наноэлектроники» Учебное пособие. Изд-во НГТУ. Новосибирск. (2000).
  2. 2. H. Mizuta, T. Tanoue “The physics and application of resonant-tunneling diode”. Cambridge, University Press, (1995).
  3. 3. В.Г. Попов, В.Г. Криштоп, О.Н. Макаровский, М. Хенини. «Магнитотуннельная спектроскопия поляронных состояний в квантовой яме резонансно-туннельного диода» ЖЭТФ, 138, 249-254 (2010).