|
КРЕМНИЙ-2008
V Международная конференция и IV школа молодых ученых и
специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения,
технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и
приборов на его основе
Черноголовка, 1-4 июля 2008
●
Организаторы конференции:
●
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН;
●
Государственный технологический университет "Московский институт стали и сплавов";
●
Научный Совет РАН "Физико-химические основы материаловедения полупроводников";
При участии ООО "Научно-консалтинговый центр Форум-СМ".
●
Конференция, которая ведет свою историю с общероссийского совещания по кремнию, впервые проведенного в МИСиС в 1999 году,
проводится на регулярной основе через один-два года.
С 2000 года серия включает также и Школы для молодых ученых и специалистов.
За эти годы мероприятие превратилось в основной в России и странах СНГ форум,
где ученые, представляющие академическое сообщество, ВУЗы и промышленность России и стран СНГ,
могут обсудить актуальные проблемы по всему кругу вопросов, включающему рост и материаловедение объемных кристаллов и тонких пленок кремния
и родственных материалов, а также физику, технологию и диагностику наноструктур на их основе.
С этого года Конференция имеет международный статус.
●
Основные темы форума включают:
●
Физика квантово-размерных структур твердотельной электроники, в том числе нано- и оптоэлектроники, спинтроники и фотоники;
●
Рост и материаловедение объемных кристаллов кремния и родственных материалов (Ge, SiGe);
●
Производство дешевого кремния для солнечной энергетики и структур на его основе;
●
Рост и материаловедение тонких (в том числе эпитаксиальных) пленок на кремнии, включая кремний-на-изоляторе,
напряженные структуры и low- and high-k диэлектрики;
●
Нанотехнологии твердотельной электроники, включая ионную имплантацию, литографию, технологии создания квантовых точек и скрытых слоев;
●
Диагностика кремния и приборных структур на его основе;
●
Новые приборы, включающие элементы микромеханики, оптоэлектроники, силовой электроники, светоизлучающие структуры и фотоприемники.
●
Контрольные сроки:
3 марта 2008 г. Представление тезисов докладов в электронном виде;
2 апреля 2008 г. Извещение о включении доклада в Программу.
|
