Программа курса:

Технология наноструктур

составил к.т.н. Шаповал С.Ю.


  1. Некоторые типы наноструктур. Вертикальные. Латеральные. Полевые каналы. Каналы, сформированные литографией. Меза-структуры, протонная изоляция, вторичная эпитаксия. Самоорганизация. Аэрозольные маски. Перколяции. Зондовые методы. Квантование проводимости при повышенных температурах. Материалы наноструктур. (16 часов) 596kb

  2. Эпитаксия. Модели роста. Аналитические методы. Гетероструктуры, дельта-легирование. Условия минимального воздействия на подложку и растущий слой. Плазма в условиях электронного циклотронного и геликонного резонансов. Атомарно чистые поверхности. Пассивация поверхности. Модификация поверхности. (20 часов) 1 часть-446kb  2 часть-847kb  3 часть-564kb

  3. Формирование латеральных структур. Анизотропное, изотропное травление. (10 часов)

  4. Структура поверхности полупроводников. Исследование поверхности с атомарным разрешением. Доноры на поверхности и нижних слоях. Смещение атомов на поверхности. (16 часов)  450kb

  5. Контакты. Эвтектические. Барьеры. Многослойные. Дельта-легированные. (16 часов)

  6. Широкозонные материалы. Транзисторы, источники света. (20 часов) 786kb

  7. Излучатели и приемники терагерцового диапазона. (12 часов)

  8. Основы технологии наномеханики. Адгезия. (10 часов) 586kb

  9. Микромостики. Неохлаждаемые болометры. (10 часов) 850kb

Литература:

  1. N. Inagaki "Plazma surface modification and plasma polymerization". Technomic Publishing Co.Inc., 1996.
  2. Edited by Kai Chang "Hardbook of microwave and optical components", Vol. 2. Microwave Solid-State Components. John Wiley & Sons, Inc., 1990.
  3. W.N.G. Hitchon "Plasma processes for Semiconductor Fabrication". Cambridge university press, 1999.
    4.